[发明专利]制造用于鳍式场效应晶体管的源极-漏极接触件的方法

摘要

提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极‑漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极‑漏极区。导电层形成在源极‑漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。

主权项

一种用于制造用于具有多个鳍和源极‑漏极结构的鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极接触件的方法，所述方法包括：将第一沟槽刻蚀至源极‑漏极结构，第一沟槽在第一方向上具有第一长度；在第一沟槽中形成第一导电层；在第一沟槽中且在第一导电层上形成刻蚀停止层；用第一填充材料填充第一沟槽；在第一填充材料的第一部分之上形成掩模，掩模不在第一填充材料的第二部分之上延伸；用各向异性刻蚀来刻蚀第一填充材料的第二部分以形成在第一方向上具有比第一长度小的第二长度的第二沟槽；以及用第二填充材料填充第二沟槽，第二填充材料是电介质。