[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710447622.2 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107170832A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;吴为敬;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/443;H01L21/477 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为在玻璃基板上直流磁控溅射AlNd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOxNd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，然后在350℃～450℃空气中进行退火处理，最后在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。本发明通过退火处理后，可在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)对步骤(2)所得器件在350℃～450℃空气中进行退火处理；(4)利用掩模制作技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。
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