[发明专利]化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法在审

专利信息
申请号: 201710447709.X 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN107052984A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 张康;李婷;孙铭泽 申请(专利权)人: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00;B24B37/005;B24B9/06;B24B27/00;H01L21/66;H01L21/02
代理公司: 北京中建联合知识产权代理事务所(普通合伙)11004 代理人: 宋元松,朱丽岩
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开的化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法,其步骤为使用膜厚测量仪测量晶圆的表面形貌,计算并对比边缘区域及中心区域的膜厚均值;在1#抛光盘上采用调整保持环的压力及改变抛光盘与抛光头之间的转速差相结合的分步平坦化方式进行全局粗抛;在2#抛光盘上采用调整保持环压力及改变抛光盘与抛光头之间转速差相结合的分步平坦化方式进行边缘区域平整度改善精抛;在3#抛光盘上使用低压等离子水冲洗晶圆表面。在1#、2#抛光盘上晶圆边缘区域的改善策略为根据晶圆边缘膜厚与中心膜厚值,调整保持环压力并改变抛光盘与抛光头之间转速差。本发明提供的晶圆边缘区域平整度优化方法,步骤合理,有效改善边缘区域平整度和片内均匀性。
搜索关键词: 化学 机械 平坦 化工 艺中晶圆 边缘 区域 平整 优化 方法
【主权项】:
化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,使用膜厚测量仪测量晶圆的表面形貌,计算并对比边缘区域及中心区域的膜厚均值;S2,在1#抛光盘上采用调整保持环的压力及改变抛光盘与抛光头之间的转速差相结合的分步平坦化方式进行全局粗抛;S3,在2#抛光盘上采用调整保持环的压力及改变抛光盘与抛光头之间的转速差相结合的分步平坦化方式进行边缘区域平整度改善精抛;S4,在3#抛光盘上使用低压等离子水冲洗晶圆表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所),未经北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710447709.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top