[发明专利]氢氧化铝纳米棒及其制备方法有效
| 申请号： | 201710447786.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107267815B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 贺甜甜;王楠楠;熊毅;杜邦登;刘国亮 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00;C01F7/42;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 471003 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铝镓合金及其制备方法、氢氧化铝纳米棒及其制备方法，属于纳米氢氧化铝制备技术领域。本发明铝镓合金中Ga、In、Sn的质量百分比之和为5～15％，所述Ga、In、Sn的质量比为65:22:13，余量为Al和不可避免的杂质。本发明铝镓合金，可用于制备氢氧化铝纳米棒，Ga、In、Sn所形成的低熔点相(Ga‑In‑Sn共晶，GIS)覆盖在铝晶粒表面，不但破坏铝氧化膜的完整性，还为参与反应的铝提供扩散通道，可大幅缩短铝水反应时间，提高反应效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 及其 制备 方法 氢氧化铝 纳米 | ||
【主权项】：
1.一种氢氧化铝纳米棒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将铝镓合金与水反应，反应结束后，将上层悬浮液利用超声波分散3‑5min后，蒸发水分，即得氢氧化铝纳米棒；所述铝镓合金中Ga、In、Sn的质量百分比之和为5~15%，所述Ga、In、Sn的质量比为65:22:13，余量为Al和不可避免的杂质；铝镓合金的制备包括以下步骤：将原料Al、Ga、In、Sn在真空度为1.8×10‑4Pa~2.2×10‑4Pa的条件下，充入氩气至真空炉内气压为0.25atm~0.35atm，采用400A~600A的电流熔炼合金，冷却，即得。
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