[发明专利]一种忆阻器的Simulink模型建立方法在审
| 申请号： | 201710447945.1 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107273610A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 卢智伟;董华锋;吴福根 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器的Simulink模型建立方法，根据忆阻器的氧空位预设初始浓度，以及掺杂区的氧空位实时浓度与施加电压的关系，建立掺杂区的氧空位实时浓度模型；基于P型半导体电阻率定义，根据氧空位实时浓度模型，计算出掺杂区的实时电阻率；根据实时电阻率、非掺杂区电阻率以及忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻；根据掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻，建立忆阻器的亿阻值模型；基于亿阻值模型，建立simulink模型。本申请通过建立掺杂区实时氧空位浓度模型，计算掺杂区实时电阻率，再基于掺杂区实时电阻率建立更贴合实际的忆阻器模型，使得建立的忆阻器Simulink模型的准确率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 simulink 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
一种忆阻器的Simulink模型建立方法，其特征在于，包括：根据忆阻器的氧空位预设初始浓度，以及掺杂区的氧空位实时浓度与施加电压的关系，建立所述掺杂区的氧空位实时浓度模型；基于P型半导体电阻率定义，根据所述氧空位实时浓度模型，计算出所述掺杂区的实时电阻率；根据所述实时电阻率、非掺杂区电阻率以及所述忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻；根据所述掺杂区实时电阻和所述非掺杂区实时电阻，建立所述忆阻器的亿阻值模型；基于所述亿阻值模型，建立simulink模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710447945.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
