[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710448434.1 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087887B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域、第二区域和第三区域用于形成不同阈值电压的器件；在基底上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成第一功函数层；在第三区域的第一功函数层上形成无定形硅层；对第一区域的高k栅介质层进行掺氮工艺；对基底进行退火处理，使第三区域的无定形硅层和第一功函数层反应形成第二功函数层；去除剩余无定形硅层。本发明通过对第一区域的高k栅介质层进行掺氮工艺的方案，以及使第三区域的无定形硅层和第一功函数层反应形成第二功函数层的方案，使第一区域、第二区域和第三区域所形成器件具有不同的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域和第三区域用于形成不同阈值电压的器件；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成第一功函数层；在所述第三区域的第一功函数层上形成无定形硅层；对所述第一区域的高k栅介质层进行掺氮工艺；对所述基底进行退火处理，使所述第三区域的无定形硅层和第一功函数层反应，形成第二功函数层；形成所述第二功函数后，去除剩余无定形硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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