[发明专利]异质结功率二极管在审
| 申请号： | 201710449247.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087955A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 马朝凤;黑芳 | 申请（专利权）人： | 乐山加兴科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 614000 四川省乐山*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结功率二极管。该异质结功率二极管，包括衬底、设置在衬底上表面的GaN层和设置在GaN层上表面的AlMN层；所述GaN层和AlMN层的接触面形成异质结，所述AlMN层上层的两侧分别具有第一欧姆金属和第二欧姆金属；所述第一欧姆金属上表面具有第一肖特基金属；所述第二欧姆金属上表面具有第二肖特基金属；所述第一肖特基金属和第二肖特基金属之间的AlMN层上表面具有钝化层；所述AlMN层与第二欧姆金属的连接处具有凹槽；所述第二肖特基金属填充在凹槽中，该异质结功率二极管具有低开启电压和低功耗等优点，同时其结构简单，易于制造。适合在半导体领域推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆金属 肖特基 异质结 功率二极管 上表面 金属 半导体领域 衬底上表面 金属填充 开启电压 低功耗 钝化层 衬底 上层 制造 | ||
【主权项】：
1.异质结功率二极管，其特征在于：包括衬底(1)、设置在衬底(1)上表面的GaN层(2)和设置在GaN层(2)上表面的AlMN层(3)；所述GaN层(2)和AlMN层(3)的接触面形成异质结，所述AlMN层(3)上层的两侧分别具有第一欧姆金属(4)和第二欧姆金属(9)；所述第一欧姆金属(4)上表面具有第一肖特基金属(5)；所述第二欧姆金属(9)上表面具有第二肖特基金属(8)；所述第一肖特基金属(5)和第二肖特基金属(8)之间的AlMN层(3)上表面具有钝化层(7)；所述AlMN层(3)与第二欧姆金属(9)的连接处具有凹槽(7)；所述第二肖特基金属(8)填充在凹槽(7)中。
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