[发明专利]用于基准源的比较电路在审

专利信息
申请号: 201710449289.9 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN109085875A 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 马朝凤;黑芳 申请(专利权)人: 乐山加兴科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 614000 四川省乐山*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种用于基准源的比较电路。该电路由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MO4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一三极管Q1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10和电阻R构成;通过在两路输入信号中选择较大的信号,实现提高基准源输出精度的目的。尤其适用于二阶基准源的比较电路。
搜索关键词: 基准源 三极管 电阻 二阶 两路 电路 输出
【主权项】:
1.用于基准源的比较电路,由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MO4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一三极管Q1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10和电阻R构成;第一PMOS管MP1的源极接电源、其栅极与漏极互连,其漏极接第四PMOS管MP4的源极;第四PMOS管MP4的栅极与其漏极互连,其漏极接第一NMOS管MN1的漏极;第一NMOS管MN1的漏极为第一输入端,其源极接第六NMOS管MN6的漏极;第六NMOS管MN6的栅极与其漏极互连,其源极接地;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极与漏极互连,其漏极接第五PMOS管MP5的源极;第五PMOS管MP5的栅极和漏极互连;第三PMOS管MP3的源极接电源,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极,其漏极接第六PMOS管MP6的源极;第六PMOS管MP6的栅极接第五PMOS管MP5的漏极,其漏极通过电阻R后接第一三极管Q1的集电极和基极;第一三极管Q1的发射极接地;第六PMOS管MP6漏极为比较电路的输出端;第二NMOS管MN2的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,其栅极接第一NMOS管MN1的栅极,其源极接第七NMOS管MN7的漏极;第七NMOS管MN7的栅极接第一NMOS管MN1的源极,其源极接地;第三NMOS管MN3的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,其栅极接第四NMOS管MN4的栅极和第五NMOS管MN5的栅极,其源极接第八NMOS管MN8的漏极;第八NMOS管MN8的栅极接第五NMOS管MN5的源极,其源极接地;第三NMOS管MN4的漏极和第五NMOS管MN5的漏极为第二输入端;第四NMOS管MN4的源极接第九NMOS管MN9的漏极;第九NMOS管MN9的栅极接第五NMOS管MN5的源极,其源极接地;第十NMOS管MN10的漏极和栅极接第五NMOS管MN5的源极,其源极接地。
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