[发明专利]一种正弦量子阱耦合增强型GaN基发光二极管

摘要

本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种正弦量子阱耦合增强型GaN基发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、n型GaN、多量子阱MQWs和p型GaN。其中多量子阱MQWs由具有In组份周期正弦波形状变化的InxGa1‑xN/GaN组成，通过调节量子阱层中的In组份周期性变化，使得形成周期性的富In组份聚集区，降低载流子非辐射复合效率；相邻量子阱间的载流子形成强烈耦合，有利于载流子的集体振荡，提升辐射复合效率；调节能带结构，减低极化效应，提升量子阱中电子和空穴的波函数交叠，最终实现发光二极管的发光强度和量子效率大幅度提升。

主权项

一种正弦量子阱耦合增强型GaN基发光二极管，其特征在于，包括衬底、衬底上面的缓冲层、n型GaN层，在n型GaN层上面的InxGa1‑xN/GaN多量子阱，在多量子阱层上面的p型GaN层，在p型层和n型层上的金属接触电极；其中多量子阱层中阱层由In组份具有周期正弦波状变化的InxGa1‑xN组成，垒层则由GaN组成。