[发明专利]半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710449720.X | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087939B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上鳍部；进行隔离注入处理，在所述鳍部内形成隔离区。所述隔离区是通过隔离注入处理而形成的，所以形成所述隔离区的过程无需对所述鳍部进行刻蚀，能够有效降低形成工艺难度，也不会改变所述基底的表面形貌，能够降低所述隔离区形成过程对后续工艺的影响，从而有利于降低后续步骤的工艺难度，有利于提高后续步骤的工艺质量；当所述半导体结构用于形成LDMOS晶体管时，本发明技术方案有利于提高工艺质量，有利于所形成LDMOS晶体管电学性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 ldmos 晶体管 及其 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；进行隔离注入处理，在所述鳍部内形成隔离区。
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