[发明专利]高增益的紫外雪崩探测器

摘要

本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上生长有外延层，i型Al_yGa_1‑yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层，ITO分离层上设置有SiO₂倍增层，SiO₂倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层，Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极；本发明的有益效果是：通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法，经过精确的膜层结构设计，实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控，还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。

主权项

1.高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底(1)，所述蓝宝石衬底(1)上生长有外延层，所述外延层由下到上依次包括有AlN模板层(2)、AlxGa1‑xN缓冲层(3)、n型AlxGa1‑xN层(4)和i型AlyGa1‑yN吸收层(5)，其中0

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