[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710454254.4 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148278B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L23/528;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有栅极结构；在所述基底上形成第一介质层；去除部分厚度的所述第一介质层，使剩余的第一介质层顶部低于所述栅极结构的顶部；在露出的所述栅极结构侧壁上形成隔离侧墙。所述隔离侧墙能够有效提高栅极结构和后续所形成插塞之间的电隔离性能，有利于减少栅极结构和插塞之间击穿问题的出现，有利于提高所形成半导体结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底上具有栅极结构；在所述基底上形成第一介质层；去除部分厚度的所述第一介质层，使剩余的第一介质层顶部低于所述栅极结构的顶部；在露出的所述栅极结构侧壁上形成隔离侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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