[发明专利]一种压电晶体的制造方法在审
| 申请号： | 201710455512.0 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107313109A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张鸿;张坚;陈晓强;沈礼东;陈铖;沈晓燕 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B17/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人： | 王丽丹,吴关炳 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电晶体的制造方法，使用泡生法来生长压电晶体，晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时，采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长，所述提拉速度<0.1mm/h，同时晶体不旋转，所述长晶过程中，晶体顶端位置不高于坩埚口。本发明晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒，来满足声表面波滤波器（SAW）设计时各种晶体轴向的要求，特别是解决一些传统提拉法（CZ）无法生长的晶体轴向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压电晶体的制造方法，其特征在于:使用泡生法来生长压电晶体，晶锭可掏出2～6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时，采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长，所述提拉速度<0.1mm/h，同时晶体不旋转，所述长晶过程中，晶体顶端位置不高于坩埚口。
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