[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201710455994.X | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107527829B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 土屋利夫;吉川敏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/78;B23K26/03 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种晶片的加工方法，对具有功能膜的晶片进行良好地分割。对具有多条分割预定线的晶片(W1)沿着分割预定线进行分割的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法构成为具有如下的步骤：利用切削刀具从晶片的正面(71)侧切入到晶片的厚度方向中途而沿着分割预定线形成多个切削槽(76)的步骤；以及从晶片的正面侧朝向切削槽内照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与晶片的背面(72)的功能膜(74)一同沿着切削槽分割成多个器件的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，将由多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片沿着该分割预定线进行分割，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削槽形成步骤，将具有功能膜的一个面已借助保护带被粘贴于环状框架的晶片载置在切削装置的保持工作台上，将切削刀具从晶片的另一个面侧切入到晶片厚度方向中途，沿着该分割预定线形成多个切削槽；以及分割步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，将形成有该切削槽的晶片载置在激光加工装置的保持工作台上，从晶片的另一个面侧朝向切削槽内沿着该切削槽照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与该功能膜一同分割成多个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
