[发明专利]一种横向IGBT有效
| 申请号： | 201710456204.X | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107170817B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;陶宏;刘亚伟;刘承芳;刘杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明提出一种新的横向IGBT结构，通过抑制P阱区对漂移区非平衡空穴的抽取作用，增大发射极的电子注入效率，增强P阱区与漂移区所形成PN结附近的电导调制效应，进而减小器件导通压降；通过抑制栅极与漂移区之间的电荷耦合作用可以降低密勒电容，进而提升器件的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 igbt | ||
【主权项】：
1.一种横向IGBT，其元胞包括自下而上依次层叠设置的衬底(1)、埋氧化层(2)和SOI层；所述SOI层包括发射极结构、栅极(11)、漂移区(3)以及集电极结构，其中集电极结构位于漂移区(3)一侧的上层，所述集电极结构包括N型缓冲区(4)、位于N型缓冲区(4)上层的P+集电区(5)和由P+集电区引出的集电极(12)；所述发射极结构位于漂移区(3)另一侧的上层，所述发射极结构包括发射极(10)、N型源区(6)、P+接触区(7)和P阱区(8)，所述P阱区(8)位于漂移区(3)的上层，所述N型源区(6)位于P阱区(8)上层远离集电极结构的一侧，所述P+接触区(7)的上表面与N型源区(6)的下表面接触，且P+接触区(7)的下表面与埋氧化层(2)的上表面接触；其特征在于，所述栅极(11)覆盖P阱区(8)的上表面，并沿P阱区(8)纵向方向两侧的侧面向下延伸直至覆盖P阱区(8)的侧壁，所述纵向方向为同时与器件水平方向和器件垂直方向均垂直的第三维方向；沿器件垂直方向的俯视图中，所述发射极(10)呈“C”字型，即发射极(10)将P阱区(8)和栅极(11)包围且在靠近漂移区(3)的一侧有开口，发射极(10)的内壁与N型源区(6)和P+接触区(7)接触。
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