[发明专利]一种离子注入机的靶盘装置

摘要

本发明公开了一种离子注入机的靶盘装置，包括靶盘平台和支撑架，支撑架的上端安装靶盘平台，用于放置待加工晶圆，高能离子束进入所述靶盘装置，入射在待加工晶圆上，实现离子注入工艺，其中，还包括石墨电极单元和供电单元，所述支撑架的下端安装石墨电极单元，所述石墨电极单元为中空结构，包括石墨电极和中空区域Ⅰ，所述石墨电极和所述供电单元连接。本发明提供的一种离子注入机的靶盘装置，放置硅片的靶盘面积小于硅片面积，同时在靶台后面放置石墨电极，并在其上施加一定电压，对轰击在其上的束流进行减速，从而避免高能离子束轰击靶盘装置的其他部件，产生二次污染离子和轰击产生的颗粒。

主权项

1.一种离子注入机的靶盘装置，包括靶盘平台和支撑架，支撑架的上端安装所述靶盘平台，用于放置待加工晶圆，高能离子束进入所述靶盘装置，入射在待加工晶圆上，实现离子注入工艺，其特征在于，所述靶盘平台的面积小于待加工晶圆的面积，所述靶盘装置还包括石墨电极单元和供电单元，所述支撑架的下端安装石墨电极单元，所述石墨电极单元为中空结构，包括石墨电极和中空区域Ⅰ，所述石墨电极和所述供电单元连接，所述中空区域Ⅰ的面积小于待加工晶圆的面积，所述石墨电极的面积加上所述中空区域Ⅰ的面积大于高能离子束的入射面积，所述待加工晶圆和中空区域Ⅰ的中心位于平行于高能离子束入射方向的同一条直线上；当高能离子束入射到靶盘平台上的待加工晶圆上进行离子注入时，所述供电单元对石墨电极施加电压，产生和高能离子束运动形成的电场方向相反的电场，减小入射到待加工晶圆以外的高能离子束的运动速度。