[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710457075.6 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148681A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 曾柏皓;李峰旻;林昱佑;许凯捷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器，包括一第一介电层、一第一导电连接结构、及一电阻式随机存取内存单元。第一介电层配置于一基板上且覆盖位于基板上的一栅极氧化物结构。第一导电连接结构配置于基板上且穿过第一介电层。电阻式随机存取内存单元配置于第一导电连接结构上。第一介电层包括一第一绝缘层及一停止层。第一绝缘层配置于基板上。停止层配置于第一绝缘层上且接触于栅极氧化物结构的顶表面。停止层是一氢控制层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 基板 导电连接结构 停止层 绝缘层 电阻式随机存取存储器 随机存取内存 栅极氧化物 电阻式 配置 绝缘层配置 顶表面 控制层 穿过 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器，包括：一第一介电层，配置于一基板上且覆盖位于该基板上的一栅极氧化物结构，且该第一介电层包括：一第一绝缘层，配置于该基板上；以及一停止层，配置于该第一绝缘层上且接触该栅极氧化物结构的一顶表面，其中该停止层是一氢控制层；一第一导电连接结构配置于该基板上且穿过该第一介电层；以及一电阻式随机存取内存单元，配置于该第一导电连接结构上。
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