[发明专利]真空吸头和抓取和安放装置有效
| 申请号： | 201710457211.1 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107275275B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 方定昌;欧翔 | 申请（专利权）人： | 英特尔产品（成都）有限公司;英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨胜军 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空吸头和抓取和安放装置。真空吸头包括盘体、形成在所述盘体上的中心通孔、形成在所述盘体中并且从所述中心通孔向着周边延伸的至少一条气体通道、以及形成在所述盘体的底侧并且与相应气体通道连通的至少一个通气孔，其中，所述中心通孔和所述至少一个通气孔中的至少一个孔能够安装吸嘴，所述中心通孔和所述至少一个通气孔中的其它孔能够由塞子可取下地封闭。根据本发明可以显著地减少备件采购成本和备件管理成本，而且可以显著缩短停机时间、提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 中心通孔 盘体 真空吸头 通气孔 抓取 安放装置 气体通道 塞子 备件采购 备件管理 生产效率 周边延伸 停机 吸嘴 连通 封闭 | ||
【主权项】：
1.一种真空吸头(1)，包括：盘体(3)；形成在所述盘体(3)上的中心通孔(5)；形成在所述盘体(3)中并且从所述中心通孔(5)向着周边延伸的至少一条气体通道(7)；形成在所述盘体(3)的第一侧(9)并且与相应气体通道(7)连通的至少一个通气孔(11)；其中，所述中心通孔(5)和所述至少一个通气孔(11)中的至少一个孔能够安装吸嘴(15)，所述中心通孔(5)和所述至少一个通气孔(11)中的其它孔能够由塞子(13)可取下地封闭；其中，所述盘体(3)包括基体(17)和可取下地设置在所述基体(17)上的吸嘴保持架(19)，其中，所述中心通孔(5)、所述气体通道(7)以及所述通气孔(11)都形成在所述吸嘴保持架(19)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
