[发明专利]用于制造高速异质结双极晶体管的发射极的方法

摘要

本发明涉及用于制造高速异质结双极晶体管的发射极的方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。在第一步骤中提供叠层，叠层包括：半导体衬底，具有沟槽隔离；隔离层，布置在半导体衬底上，其中第一隔离层包括形成发射极窗口的凹槽；侧向间隔物，布置在发射极窗口的侧壁上；基极层，布置在半导体衬底上的发射极窗口中；和发射极层，布置在隔离层、侧向间隔物和基极层上。在第二步骤中，牺牲层被提供在发射极层上，由此过度填充由于发射极窗口而由发射极层形成的凹槽。在第三步骤中，牺牲层被选择性地去除直至发射极层，同时保持牺牲层的对发射极层的凹槽填充的部分。在第四步骤中，发射极层被选择性地去除直至隔离层，同时保持发射极层的填充的凹槽。

主权项

一种用于制造双极结型晶体管的方法，所述方法包括：提供叠层，所述叠层包括：‑半导体衬底，具有沟槽隔离；‑隔离层，布置在半导体衬底上，其中第一隔离层包括形成发射极窗口的凹槽；‑侧向间隔物，布置在发射极窗口的侧壁上；‑基极层，布置在半导体衬底上的发射极窗口中；和‑发射极层，布置在隔离层、侧向间隔物和基极层上；在发射极层上提供牺牲层，由此过度填充由于发射极窗口而由发射极层形成的凹槽；选择性地去除牺牲层直至发射极层，同时保持牺牲层的对发射极层的凹槽填充的部分；以及选择性地去除发射极层直至隔离层，同时保持发射极层的填充的凹槽。