[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括于鳍结构上方形成第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。于第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构上方形成硬遮罩图案层。第一虚设栅极结构从硬遮罩图案层暴露出来。移除第一虚设栅极结构及其下方的鳍结构，以形成沟槽。于沟槽中形成隔绝结构。分别以第一金属栅极结构和第二金属栅极结构置换第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。隔绝结构的顶面分别对齐第一金属栅极结构的顶面和第二金属栅极结构的顶面。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一半导体基板上方形成一鳍结构；于该鳍结构上方形成一第一虚设栅极结构以及位于该第一虚设栅极结构相对两侧的一第二虚设栅极结构和一第三虚设栅极结构；于该第一虚设栅极结构、该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构上方形成一硬遮罩图案层，其中该第一虚设栅极结构从该硬遮罩图案层暴露出来；移除从该硬遮罩图案层暴露出来的第一虚设栅极结构以及位于该第一虚设栅极结构下方的部分该鳍结构，以形成一沟槽；于该沟槽中形成由一第一介电材料形成的一隔绝结构；以及分别以一第一金属栅极结构和一第二金属栅极结构置换该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构，其中该隔绝结构的一顶面分别对齐该第一金属栅极结构的一顶面和该第二金属栅极结构的一顶面。