[发明专利]一种表征铸锭长晶界面的方法有效
| 申请号： | 201710458233.X | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107247077B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王双丽;游达;黄春来 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表征铸锭长晶界面的方法，检测小方锭的电阻率并记录电阻率在小方锭上的高度位置，建立电阻率的高度位置的数据矩阵，根据数据矩阵表征铸锭平行于长晶方向的任一横截面的长晶界面形状，或表征铸锭的同一电阻率的二维或三维界面；由于硅锭中的电阻率与掺杂剂的浓度正相关，因此电阻率的分布反应了硅锭中掺杂剂浓度大小，即在同一时刻同一固液界面完成长晶的多晶硅具有相同的掺杂剂浓度和电阻率值，因此通过获得电阻率的分布特点，能够较准确的得到长晶界面形状，进而揭示多晶硅铸锭过程的长晶行为。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 铸锭 界面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表征铸锭长晶界面的方法，其特征在于，包括步骤：沿铸锭的长晶方向开方，得到若干小方锭；将若干小方锭按照在所述铸锭中的位置排序，并建立平面直角坐标系，定位每个小方锭在坐标系中的坐标位置；检测每个小方锭的特定的电阻率的高度；根据所述特定电阻率的高度及在坐标系中的坐标位置建立特定电阻率在铸锭中的高度位置的数据矩阵；根据所述数据矩阵表征铸锭平行于长晶方向的任一横截面的长晶界面形状，或表征铸锭的同一电阻率的二维或三维界面。
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