[发明专利]提高套刻精度的方法有效
| 申请号： | 201710458343.6 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107037696B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种提高套刻精度的方法，包括：提供复合掩膜版，所述复合掩膜版包括镜像对称的第一光刻图形和第二光刻图形；以所述第一光刻图形为掩膜进行第一次光刻工艺；以翻转的所述第二光刻图形为掩膜进行第二次光刻工艺，第一次光刻工艺与第二次光刻工艺形成的图形同向。本发明中，第一次光刻工艺和第二次光刻工艺过程中图形膨胀的方向相同，便于第一次光刻图形与第二光刻图形的对位，提高套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 精度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高套刻精度的方法，其特征在于，包括：/n提供复合掩膜版，所述复合掩膜版包括镜像对称的第一光刻图形和第二光刻图形；/n以所述第一光刻图形为掩膜进行第一次光刻工艺；/n以翻转的所述第二光刻图形为掩膜进行第二次光刻工艺，第一次光刻工艺与第二次光刻工艺形成的图形同向。/n
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