[发明专利]红外焦平面多色探测器及其制作方法有效
申请号: | 201710458420.8 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107240614B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 黄寓洋 | 申请(专利权)人: | 苏州苏纳光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种红外焦平面多色探测器,包括衬底、以及形成于衬底上的外延层,所述衬底上开设有至少一个窗口,所述外延层暴露于所述窗口。本申请还公开了一种红外焦平面多色探测器的制作方法,包括:(1)、提供一红外焦平面探测器;(2)、将掩膜版与红外焦平面探测器的衬底进行对准,然后曝光;(3)、刻蚀衬底,在衬底上形成窗口。本发明探测器中,衬底不去除的,探测0.9~1.7微米,衬底去除的,探测0.4~1.7微米;使用读出电路对两种像素进行减法操作,即可探测0.4~0.9um,实现三色探测能力。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 多色 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外焦平面多色探测器,其特征在于,包括半绝缘InP衬底、以及形成于衬底上的外延层,所述衬底上开设有至少一个窗口,所述外延层暴露于所述窗口,所述外延层包括光敏元芯片,所述外延层还包括硅读出电路,该硅读出电路与光敏元芯片互连,硅读出电路分别读取衬底未去除部位的红外光波长λ1、窗口部位的可见光至红外光波长λ2,并求取λ1和λ2的读取值的差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的