[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，存在半导体器件的生产率低的问题。提供一种技术，具有：处理衬底的处理容器，向处理容器供给气体的气体供给部，控制衬底的温度的温度控制部，和装置控制部，其以进行下述处理的方式进行控制：温度控制部将衬底维持在第一温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成第一层的处理；及，温度控制部将衬底维持在不同于第一温度的第二温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成不同于第一层的第二层的处理。通过本发明，即便在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，也能提高半导体器件的生产率。

主权项

一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理容器，向所述处理容器供给气体的气体供给部，控制所述衬底的温度的温度控制部，和装置控制部，所述装置控制部以进行下述处理的方式进行控制：所述温度控制部将所述衬底维持在第一温度、并且所述气体供给部向所述处理容器供给气体，从而形成第一层的处理；及，所述温度控制部将所述衬底维持在不同于所述第一温度的第二温度、并且所述气体供给部向所述处理容器供给气体，从而形成不同于所述第一层的第二层的处理。