[发明专利]一种支撑基于RRAM的神经网络训练的外围电路及系统有效

专利信息
申请号: 201710459633.2 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN109146070B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 刘武龙;姚骏;汪玉;成铭 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;清华大学
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06N3/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例提供了一种外围电路,该外围电路包括:数据准备电路,用于根据第一控制信号选择地将输入所述数据准备电路的第一数据进行第一预处理后导入所述RRAM交叉阵列的行或列中,所述第一数据包括用于所述神经网络训练的样本数据;数据选择电路,用于根据第二控制信号选择地从所述RRAM交叉阵列的行或列中导出第二数据,且对所述第二数据进行第二预处理得到第三数据;数据读取电路,用于权值更新控制操作和对输入所述数据读取电路的第四数据进行最大池化操作得到第五数据;反向训练计算电路,用于将输入所述反向训练计算电路中的第六数据进行误差计算和求导计算。本发明技术方案能够支撑基于RRAM的神经网络训练,加速神经网络训练和提升RRAM写的可靠性。
搜索关键词: 一种 支撑 基于 rram 神经网络 训练 外围 电路 系统
【主权项】:
1.一种外围电路,用于支撑基于阻变存储器RRAM交叉阵列的神经网络训练,其特征在于,包括:数据准备电路,用于将输入所述数据准备电路的第一数据进行第一预处理,且根据第一控制信号选择地将经所述第一预处理后得到的预处理数据导入所述RRAM交叉阵列的行或列中,所述第一数据包括用于所述神经网络训练的样本数据;数据选择电路,用于根据第二控制信号选择地从所述RRAM交叉阵列的行或列中导出第二数据,且对所述第二数据进行第二预处理得到第三数据;其中,所述第二数据为所述预处理数据在所述RRAM交叉阵列中经计算后得到的数据;所述第一控制信号与所述第二控制信号存在对应关系,所述对应关系用于指示:所述数据准备电路根据所述第一控制信号将所述第一数据进行第一预处理后导入所述RRAM交叉阵列的行中对应于所述数据选择电路根据所述第二控制信号从所述RRAM交叉阵列的列中导出所述第二数据,和,所述数据准备电路根据所述第一控制信号将所述第一数据进行第一预处理后导入所述RRAM交叉阵列的列中对应于所述数据选择电路根据所述第二控制信号从所述RRAM交叉阵列的行中导出所述第二数据;数据读取电路,用于权值更新控制操作和根据输入所述数据读取电路的第四数据进行最大池化操作得到第五数据,所述第四数据包括所述第三数据;反向训练计算电路,用于根据输入所述反向训练计算电路中的第六数据进行误差计算和求导计算,所述第六数据包括包括所述第五数据。
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