[发明专利]AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710464683.X | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107293625B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;戴姜平;张荣;陶涛;谢自力;陈敦军;韩平;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1‑xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1‑xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。 | ||
| 搜索关键词： | algan 异质结 纳米 阵列 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1‑xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；其特征在于：所述纳米柱阵列中，AlxGa1‑xN层的直径小于AlN插入层的直径。
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