[发明专利]一种功率半导体器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710465385.2 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107403795A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王凯;周贤达;单建安 | 申请（专利权）人： | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/50 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 528300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体器件结构，包括基板和镶嵌在基板中的芯片阵列，所述芯片阵列和基板的上表面上设置有用于将所述芯片阵列中的芯片的一端并联的顶部公共电极，所述芯片阵列和基板的下表面上设置有用于将所述芯片阵列中的芯片的另一端并联的底部公共电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件结构，其特征在于：包括基板和镶嵌在基板中的芯片阵列，所述芯片阵列和基板的上表面上设置有用于将所述芯片阵列中的芯片的一端并联的顶部公共电极，所述芯片阵列和基板的下表面上设置有用于将所述芯片阵列中的芯片的另一端并联的底部公共电极。
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