[发明专利]一种晶圆级封装红外探测器的封装方法在审
| 申请号： | 201710466015.0 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107134509A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王莹;曹友文 | 申请（专利权）人： | 合肥芯欣智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆级封装红外探测器的封装方法，其包括以下步骤(1)、在硅窗上蒸镀好吸气材料并在真空条件下将硅窗与晶圆进行对准；(2)、在硅窗与晶圆对准后，在真空条件下对硅窗进行加热，激活所述吸气材料；(3)、所述吸气材料激活后，对硅窗进行施压键合，完成封装；(4)、封装后对晶圆进行切割，分割成单只晶圆级封装红外探测器；(5)、对单只晶圆级封装红外探测器进行测试，测试合格后即获得成品。该方法能实现红外探测器的晶圆级封装，且其对位精度高，生产效率高，产品质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 红外探测器 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、在硅窗上蒸镀好吸气材料并在真空条件下将硅窗与晶圆进行对准；(2)、在硅窗与晶圆对准后，在真空条件下对硅窗进行加热，激活所述吸气材料；(3)、所述吸气材料激活后，对硅窗进行施压键合，完成封装；(4)、封装后对晶圆进行切割，分割成单只晶圆级封装红外探测器；(5)、对单只晶圆级封装红外探测器进行测试，测试合格后即获得成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
