[发明专利]肖特基接触注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710466243.8 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107507861B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;姜珊;张艺蒙;宋庆文;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/24 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNM‑IGBT器件其制备方法。该制备方法包括：在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；刻蚀第一漂移层形成第一沟槽，淀积第一氧化层；生长第二漂移层；在第二漂移层上生长P型阱区，在P型阱区形成P+掺杂区、P接触区和N+发射区；刻蚀制备第二沟槽，形成埋氧化层；在第二沟槽生长第二氧化层，淀积多晶硅；淀积金属层分别形成发射极欧姆接触电极、发射极肖特基接触电极和集电极接触电极。本发明在槽栅两侧引入埋氧化层，和在发射极引入肖特基接触电极增强了电导调制效应，降低了导通电阻，并不会导致关断时间明显增大，且在工艺上与现有工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 接触 注入 增强 sic pnm igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNM‑IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：利用热壁LPCVD工艺在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；利用反应离子刻蚀工艺刻蚀所述第一漂移层，形成第一沟槽，利用热氧化工艺在所述第一沟槽生长第一氧化层；利用热壁LPCVD工艺在所述第一漂移层和所述第一氧化层表面生长第二漂移层；利用热壁LPCVD工艺在所述第二漂移层生长P型阱区；利用离子注入工艺在所述P型阱区形成P+掺杂区、P接触区和N+发射区；利用反应离子刻蚀工艺刻蚀所述第二漂移层和所述第一氧化层，形成第二沟槽以制备出埋氧化层；利用热氧化工艺在所述第二沟槽生长第二氧化层，利用CVD工艺在所述第二氧化层生长多晶硅；淀积金属层分别形成发射极欧姆接触电极、发射极肖特基接触电极和集电极接触电极。
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