[发明专利]一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710467722.1 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109097742A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吕青锋;金钟镐 | 申请（专利权）人： | 宁波菲利特水处理科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/06;C23C14/58;B82Y40/00 |
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| 地址： | 315480 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其包括 NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，晶粒尺寸大，晶界数量少；基于本发明高质量的NiSe纳米薄膜制备的光电探测器，获得的光电流比NiSe纳米晶薄膜提高了4个数量级；本发明制备工艺简单，成本低廉，具有较好的实用价值，而且这种方法可以被用来制备其他与传统平面工艺兼容的非层状结构材料纳米薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 制备 层状结构 层状结构材料 发明制备工艺 固相反应法 光电探测器 纳米晶薄膜 晶粒 传统平面 个数量级 工艺兼容 光探测器 光电流 晶界 构筑 生长 | ||
【主权项】：
1.一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50 μm、纯度为99.99%的Ni箔在通有10 sccm H2 和20 sccm Ar 的低压气氛中，450‑550 ℃退火25‑35 min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完 之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整个沉积过程中，真空度保持在 1×10‑4‑3×10‑4 Pa；随后将ZnSe/Ni箔在1.5×10‑4‑2.5×10‑4 Pa的真空度下650‑750 ℃退 火25‑35 min，得到NiSe纳米膜；(2) NiSe纳米薄膜的转移：在50 μm厚的Ni箔表面得到的NiSe纳米薄膜上旋涂浓度为 80‑120 mg/ml PMMA，旋涂条件为：先在400‑600 r/min的转速下匀胶甩胶5‑7 s，然后在 1500‑2500 r/min的转速下。
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