[发明专利]一种甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201710468541.0 申请日: 2017-06-20
公开(公告)号: CN107359246B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 郝玉英;李仕奇;刘红利;孙钦军;李战峰;崔艳霞 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 李富元
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及太阳能电池领域。一种甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池的制作方法,光敏层为甲胺铅碘钙钛矿薄膜,甲胺铅碘钙钛矿薄膜是通过旋涂工艺、滴加反溶剂清洗工艺并结合溶剂退火工艺制成的,旋涂工艺是指把甲胺铅碘钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液旋涂到PEDOT:PSS薄膜上的过程,反溶剂清洗工艺是在旋涂CH3NH3PbI3甲胺铅碘钙钛矿前驱液过程中,通过滴加反溶剂戊醇促使钙钛矿快速结晶并析出的过程,反溶剂戊醇为仲戊醇或叔戊醇。本发明所采用的制备工艺简单,可制得高效率、重复性好、无迟滞现象的甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池。
搜索关键词: 一种 甲胺铅碘钙钛矿 太阳能电池 制作方法
【主权项】:
一种甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于:以沉积有一层均匀的厚度为100 nm的铟锡氧化物ITO薄膜的玻璃基底作为电池的阳极,在ITO薄膜上再沉积一层厚度为20‑30 nm的聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS薄膜作为空穴传输层,在PEDOT:PSS薄膜上再沉积一层光敏层,在光敏层上再沉积一层厚度为40‑50 nm 的[6, 6]‑苯基C60‑丁酸甲酯PC60BM作为电子传输层,然后在电子传输层上面再沉积一层厚度为1‑5 nm 的[4,7]‑二苯基‑[1,10]‑菲啰啉Bphen作为界面修饰层,最后通过真空热蒸镀在界面修饰层上蒸镀一层厚度为100 nm的连续的铝膜或银膜作为电池的阴极;光敏层为甲胺铅碘钙钛矿薄膜,甲胺铅碘钙钛矿薄膜是通过旋涂工艺、滴加反溶剂清洗工艺并结合溶剂退火工艺制成的,旋涂工艺是指把甲胺铅碘钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液旋涂到PEDOT:PSS薄膜上的过程,反溶剂清洗工艺是在旋涂CH3NH3PbI3甲胺铅碘钙钛矿前驱液过程中,通过滴加反溶剂戊醇促使钙钛矿快速结晶并析出的过程,反溶剂戊醇为仲戊醇或叔戊醇,开始旋涂CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜后7‑11 s时将反溶剂戊醇直接滴加CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜上清洗一次,反溶剂戊醇用量200‑600μL。
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