[发明专利]一种用于高温环境的TaN薄膜电阻及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于高温环境的TaN薄膜电阻及其制备方法。该TaN薄膜电阻从下到上依次由基板、电阻膜、过渡金属层和电极连接组成；过渡金属层和电极分别有两个，两个过渡金属层分别设置在电阻膜的两侧；两个电极分别附着在两个过渡金属层上表面；电阻膜附着在基板上表面；电阻膜为TaN电阻膜，电阻薄膜的厚度为100‑200nm；与过渡金属层相接之处的电阻膜设有沟槽或孔洞。本发明金属层与电阻层形成嵌入式的三维接触方式，在高温下使用时，由于电阻层和金属层均会受热膨胀，因此在嵌入的位置金属层与电阻层会互相挤压而紧密接触，避免了金属层的剥离引起的失效，从而电阻具有更好的热稳定性和可靠性。

主权项

1.一种用于120℃至180℃高温环境的TaN薄膜电阻，从下到上依次由基板、电阻膜、过渡金属层和电极连接组成；过渡金属层和电极分别有两个，两个过渡金属层分别设置在电阻膜的两侧；两个电极分别附着在两个过渡金属层上表面；电阻膜附着在基板上表面；其特征在于，所述电阻膜为TaN电阻膜，电阻薄膜的厚度为100‑200nm；与过渡金属层相接之处的电阻膜设有沟槽或孔洞；所述沟槽为长方体槽，沟槽的长度与电阻膜的宽度一致，沟槽深度与电阻膜厚度相同，沟槽的宽度为20‑30μm，相邻沟槽间距离为1‑2倍沟槽宽度；所述孔洞为柱形孔，深度与电阻膜厚度相同，孔洞直径或边长在20‑50μm，相邻孔洞中心间距为2‑3倍孔洞直径。