[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710469652.3 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107768445B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 马克·S·罗德尔;王维一;秦晓叶;罗伯特·M·华莱士 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，具体地，涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET包括：基底，具有源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区，所述基底具有在其上的包括三种元素的外延的III‑V族材料；源电极，位于源区上方；漏电极，位于漏区上方；以及在沟道区中的晶体氧化物层，包括形成外延的III‑V族材料上的氧化物，外延的III‑V族材料包括三种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括：基底，具有源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区，所述基底具有在其上的包括三种元素的外延的III‑V族材料；源电极，位于源区上方；漏电极，位于漏区上方；以及在沟道区中的晶体氧化物层，包括形成在外延的III‑V族材料上的氧化物，所述外延的III‑V族材料包括三种元素。
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