[发明专利]改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺有效
| 申请号： | 201710470048.2 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107256907A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 徐泽宇;孙铁囤;姚伟忠 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 郑云 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池片技术领域，尤其是一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃，本发明在常规退火工艺去水汽的基础上，能够再次去除硅片表面杂质，并更好的保护硅片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 perc 高效 电池 外观 白点 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，其特征在于：该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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