[发明专利]肖特基接触增强型SiCPIGB及其制备方法在审
| 申请号： | 201710470118.4 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107393957A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;姜珊;张艺蒙;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/47;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基接触增强型SiC PIGB及其制备方法，所述制备方法包括选择N+碳化硅衬底；在所述N+碳化硅衬底上依次生长N‑漂移区、N+缓冲区、P+集电区；在所述N‑漂移区中形成P型阱区；在所述P型阱区中形成P+区、P区及N+发射区；在所述N‑漂移区上生长栅极；制作电极以完成所述SiC PIGBT的制备。本发明提供的肖特基接触增强型SiC PIGB，与传统IGBT相比，通过增加发射极肖特基接触金属层的方式，抬高了基区的电势，起到了阻挡载流子的作用，从而减小了导通电阻，降低了器件功耗，增强了电导调制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 接触 增强 sicpigb 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基接触增强型SiC PIGB的制备方法，其特征在于，包括：(a)选择N+碳化硅衬底；(b)在所述N+碳化硅衬底上依次生长N‑漂移区、N+缓冲区、P+集电区；(c)在所述N‑漂移区中形成P型阱区；(d)在所述P型阱区中形成P+区、P区及N+发射区；(e)在所述N‑漂移区上生长栅极；(f)制作电极以完成所述SiC PIGBT的制备。
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