[发明专利]一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法在审
| 申请号： | 201710470246.9 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107316810A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰;任昱 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法，包括提供一半导体结构，所述半导体结构上设有硬质掩膜层；量测所述硬质掩膜层厚度；分析量测得到的所述硬质掩膜层厚度与设定目标值的差异，调控所述半导体结构刻蚀工艺的工艺参数；按照调控后的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀。本发明根据测得硬质掩膜层厚度，利用硬质掩层膜厚度与刻蚀工艺参数、刻蚀工艺参数与半导体结构刻蚀关键尺寸的特定关系，通过先进过程控制系统调节刻蚀工艺参数进行刻蚀补偿，使得刻蚀工艺关键尺寸达到预设目标值，避免了因硬质掩膜层厚度漂移带来的刻蚀关键尺寸的偏移，从而提高了刻蚀工艺关键尺寸的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 刻蚀 关键 尺寸 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构上设有硬质掩膜层；量测所述硬质掩膜层厚度；分析量测得到的所述硬质掩膜层厚度与设定目标值的差异，调控所述半导体结构刻蚀工艺的工艺参数；按照调控后的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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