[发明专利]一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括在高导硅衬底上外延生长硅掺砷吸收层，掺杂砷离子；在吸收层上外延生长高阻硅阻挡层；再通过光刻、离子注入、快速热退火、深硅刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、反应离子束刻蚀、湿法腐蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极。本发明的优点在于：采用化学气相沉积法外延生长硅掺砷吸收层，便于增加吸收层厚度和调节掺杂浓度，提高吸收层的吸收效率及器件响应率，避免了离子注入引起的损伤，降低了暗电流；将负电极设置在高导硅衬底上，缩短了光生载流子的输运路径，降低了光生载流子被高导硅衬底中杂质和缺陷俘获的几率，进一步降低器件的暗电流，提高响应率。

主权项

一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器，其特征在于，包括高导硅衬底和设置在高导硅衬底上的第一区域与第二区域；所述第一区域包括依次设置的硅掺砷吸收层、高阻硅阻挡层、正电极接触区和氮化硅钝化层，其中，所述硅掺砷吸收层设置在高导硅衬底上，所述氮化硅钝化层同时覆盖于所述硅掺砷吸收层、高阻硅阻挡层和正电极接触区所组成的侧面上，在所述氮化硅钝化层上设置有正电极；所述第二区域包括设置在高导硅衬底上的氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层上设置有负电极；第一区域的所述氮化硅钝化层与第二区域的所述氮化硅钝化层连接为一体形成凹字形结构，所述第二区域位于凹部。