[发明专利]发光二极管的外延结构有效
| 申请号： | 201710471164.6 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107369749B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘华容;胡加辉;万林 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的外延结构，属于半导体器件外延技术领域。方法包括：N型层、发光层及P型层；发光层位于N型层与P型层之间，发光层覆盖N型层，P型层覆盖发光层；发光层至P型层的方向为P型层的势垒的生长方向，P型层的势垒沿生长方向逐渐递减。通过让P型层的势垒沿外延生长方向逐渐递减，使得P型层至发光层方向上的势垒逐渐增加，从而有利于更多的空穴进入到发光层，降低了对空穴的阻挡作用，进而能够有效提高发光层中空穴的浓度。另外，通过让P型层的势垒沿外延生长方向逐渐递减，使得靠近发光层的势垒最高，从而能有效阻挡电子溢流，进而可提高发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括：N型层、发光层及P型层；所述发光层位于所述N型层与所述P型层之间，所述发光层覆盖所述N型层，所述P型层覆盖所述发光层；所述发光层至所述P型层的方向为所述P型层的势垒的生长方向，所述P型层的势垒沿所述生长方向逐渐递减。
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