[发明专利]一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池在审
| 申请号： | 201710471829.3 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107302033A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 毕臻;杨晓东;张进成;张春福;吕玲;林志宇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，包括n‑Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构和p‑GaN层，p‑GaN层表面为纳米陷光结构；p‑GaN层和n‑GaN层表面引出Ni/Cr/Au欧姆电极。本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有陷光结构的InGaN/GaN电池原型器件，包括表面条栅结构和周期性纳米阵列，实现表面高减反特性；由于采用了纳米陷光结构，有利于增加入射光程，增加光程和有效光吸收，产生更多的光生载流子，提高电池的光电流和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 结构 ingan gan 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，其特征在于，包括n‑Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层(11)、GaN缓冲层(12)、n‑GaN层(13)、InGaN/GaN多量子阱结构(14)和p‑GaN层(15)，p‑GaN层(15)表面为纳米陷光结构；p‑GaN层(15)和n‑GaN层(13)表面引出Ni/Cr/Au欧姆电极(16)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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