[发明专利]一种直接从等规聚1-丁烯本体中结晶生成I晶的方法有效
| 申请号： | 201710472011.3 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107254055B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李景庆;王栋;尚英瑞;蒋世春 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08J3/00 | 分类号： | C08J3/00;C08L23/20 |
| 代理公司： | 12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了一种直接从等规聚1‑丁烯本体中结晶生成I晶的方法，包括如下步骤：在将iP‑1‑B中的I晶完全熔融之后，降温到室温可得到II晶，当再次加热到熔融后，降温到30℃至‑30℃之间的温度，会在iP‑1‑B本体中直接得到I晶，优选的温度区间是10℃至‑10℃之间。如在该温度区间至I晶熔点以下多次进行升降温循环，可得到更多直接从iP‑1‑B本体中结晶而成的I晶。通过控制循环次数与循环过程中的低端温度等可以在一定范围内调控I晶生成的比例。此方法为iP‑1‑B熔融加工过程中进行结晶结构的调控以得到热力学稳定的I晶提供了可行的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 丁烯 本体 结晶 生成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直接从等规聚1-丁烯本体中结晶生成I晶的方法，其特征在于，按照下述步骤进行：/n步骤1，将I晶等规聚1-丁烯加热熔融，降温到室温，得到II晶iP-1-B，即称量I晶iP-1-B样品，以5—10℃/min升温到200—220℃并恒温2—5min，然后以10—15℃/min降温到室温20—25摄氏度，得到II晶iP-1-B；/n步骤2，将步骤1得到的II晶iP-1-B升温至II晶熔点以上熔融并保温，再降温至-30℃～30℃之间的温度并保温，即可直接从等规聚1-丁烯本体中结晶生成I晶，即将步骤1得到的II晶iP-1-B以10—30℃/min升温至II晶熔点以上熔融，并恒温2—5min，然后以10—15℃/min的降温速度，降温到-30℃～30℃之间的温度，并保温2—5min；/n重复步骤2所述的升温和降温过程，即升温至II晶熔点以上的温度，降温至-30℃～30℃之间的温度，在经过数次循环之后，可更多直接从iP-1-B本体结晶得到的I晶。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710472011.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
