[发明专利]GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710472653.3 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107069433A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 邢瑶;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军;杨静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基紫外激光器晶圆，包括叠置于GaN衬底正面上的n型限制层、n型波导层、有源区、u型波导层、p型限制层和p型接触层，其中在n型波导层和有源区之间还有一n型空穴阻挡层；在u型波导层和p型限制层之间还有一p型电子阻挡层；该GaN基紫外激光器晶圆为脊型结构。以及一种GaN基紫外激光器晶圆的制备方法、通过解理、镀膜形成的激光芯片、通过封装形成的激光器。本发明在u型波导层/n型波导层与限制层/有源区之间插入p型电子阻挡层/n型空穴阻挡层；可在u型波导层与限制层之间/n型波导层和有源区之间形成高的势垒，有效阻止电子/空穴泄漏到有源区以外靠近p/n区的位置；从而可降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 紫外 激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基紫外激光器晶圆，包括叠置形成于GaN衬底正面上的n型限制层、n型波导层、有源区、u型波导层、p型限制层和p型接触层，其中：在所述n型波导层和有源区之间还形成有一n型空穴阻挡层；在所述u型波导层和p型限制层之间还形成有一p型电子阻挡层；所述GaN基紫外激光器晶圆为脊型结构。
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