[发明专利]环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法有效
申请号: | 201710472687.2 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107069432B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 程凤敏;张锦川;贾志伟;赵越;周予虹;刘峰奇;王利军;刘俊岐;刘舒曼;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/34 | 分类号: | H01S5/34;H01S5/343;H01S1/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层;步骤2:移除上波导层,在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅,形成一个双周期的环形光栅;步骤3:在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层;步骤4:在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构,刻蚀深度到达下光学限制层;步骤5:在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP:Fe;步骤6:在沟槽中填满半绝缘InP:Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极,镀金;步骤7:将衬底减薄,抛光,在衬底的背面蒸发背面金属电极;步骤8:刻蚀金属电极,制备出二级环形表面金属光栅,完成制备。 | ||
搜索关键词: | 环形 发射 差频太 赫兹 量子 级联 激光器 结构 | ||
【主权项】:
1.一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层;步骤2:移除上波导层,在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅,形成一个双周期的环形光栅;步骤3:在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层;步骤4:在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构,刻蚀深度到达下光学限制层;步骤5:在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP:Fe;步骤6:在沟槽中填满半绝缘InP:Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极,镀金;步骤7:将衬底减薄,抛光,在衬底的背面蒸发背面金属电极;步骤8:刻蚀背面金属电极,制备出二级环形表面金属光栅,完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710472687.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防水隔热上人屋面系统
- 下一篇:一种模块化别墅防水顶台