[发明专利]一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710473915.8 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107342319B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周春宇;王冠宇;宋昱彤 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 13116 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 续京沙 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法，所述晶体管选取晶向为(100)的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底的上部两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延Si集电区、Si | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 应变 si sige 异质结 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：所述晶体管选取晶向为(100)的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底的上部两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延N型Si集电区、P型Si
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