[发明专利]纳米微结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米微结构的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在基板表面设置一光刻胶掩模层，厚度为H；曝光和显影得到一图案化掩模层，该图案化掩模层包括多个条状掩模块，相邻条状掩模块的间隔为L；向基板表面沉积一第一薄膜层，厚度为D，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ1，且θ1tan‑1(L/H)；改变沉积方向，向基板表面沉积一第二薄膜层，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ2，θ2tan‑1[L/(H+D)]，使得0L‑Htanθ1‑(H+D)tanθ210nm，则该第一薄膜层与第二薄膜层部分重叠；去除条状掩模块；干法刻蚀所述第一薄膜层及第二薄膜层，得到一纳米微结构。

主权项

1.一种纳米微结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一光刻胶掩模层，该光刻胶掩模层的厚度为H；对该光刻胶掩模层曝光和显影得到一图案化掩模层，该图案化掩模层包括多个平行且间隔设置的条状掩模块，相邻条状掩模块的间隔距离为L，设定该图案化掩模层远离基板的表面为第一区域，该图案化掩模层相对于该光刻胶掩模层增加的表面为第二区域，相邻条状掩模块之间暴露的基板的表面为第三区域；向设置有条状掩模块的基板表面沉积一第一薄膜层，该第一薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ1，且θ1

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