[发明专利]抑制山核桃外植体褐变的方法在审

专利信息
申请号: 201710477107.9 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN107155893A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 韦顺华;梁胜 申请(专利权)人: 河池市智汇科技咨询有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 柳州市集智专利商标事务所45102 代理人: 韦永青
地址: 547000 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种抑制山核桃外植体褐变的方法,涉及山核桃组织培养技术领域;本发明方法采用山核桃茎尖作为外植体,消毒后依次经过暗培养和光照培养的方法,一方面,暗培养基以1/2MS培养基为基础培养基,光照培养基为以2/3MS培养基为基础培养基,与MS培养基相比,1/2MS培养基和2/3MS培养基中无机盐离子浓度较低,能够降低山核桃茎尖褐变机率;另一方面,暗培养基中添加活性炭、硫代硫酸钠和半胱氨酸,光照培养基中添加赤霉酸,可以较有效控制山核桃褐变,抗褐变率达到83.5%。
搜索关键词: 抑制 山核桃 外植体褐变 方法
【主权项】:
一种抑制山核桃外植体褐变的方法,其特征在于包括以下步骤:A、外植体消毒:选取山核桃茎尖作为外植体,采用负离子光触媒处理7分钟~10分钟,再用浓度为70%的酒精浸泡5分钟~8分钟;B、暗培养:将消毒后的外植体接种于暗培养基上,调节pH值为4~5,控制温度为23℃~25℃,暗培养10天~15天;所述暗培养基是以1/2MS培养基为基础培养基,添加50克/升~80克/升活性炭、30克/升~50克/升硫代硫酸钠和10克/升~18克/升半胱氨酸;C、光照培养:转入光照培养基中,设置培养温度为22℃~27℃,在1300~1800Lux的光照强度为下进行培养;所述光照培养基为以2/3MS培养基为基础培养基,添加10克/升~16克/升赤霉酸。
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