[发明专利]一种光电探测器的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710477533.2 申请日: 2017-06-20
公开(公告)号: CN107275441A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 曹东波 申请(专利权)人: 湖南商学院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;C23C14/08;C23C14/34
代理公司: 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙)43217 代理人: 李大为
地址: 410205 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于光电探测器领域,公开了一种光电探测器的制备方法,包括帽层表面涂抹硒化锑薄膜,硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜;在光敏区上淀积2.2μm的ZnO薄膜作为增透膜。本发明的ZnO薄膜在可见光区,光透过率大于85%,在适当的掺杂之下,Zn0薄膜表现出很好的低阻特征,是一种理想的透明导电薄膜;利用ZnO薄膜的宽禁带和高光电导特性,大大拓宽了Zn0薄膜在该领域的应用;MOCVD生长的光电探测器具有很高的响应速率;后硒化处理的硒化锑薄膜在不损失响应度的情况下光暗电流大幅度提升,比探测率也有所提升,大大提高了探测器的性能,具有较好的应用前景。
搜索关键词: 一种 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
一种光电探测器的制备方法,其特征在于,所述光电探测器的制备方法包括以下步骤:步骤一,材料生长采用LP‑MOCVD设备,分别以三甲基铟、三甲基镓、三甲基铝、砷烷和磷烷作为In、Ga、As和P源,以SiH4为n型掺杂源,Ar作为载气;步骤二,采用掺S的n+-InP衬底,晶面为,反应室压力为100mbar;使用SEM测量InP和InGaAs异质结的界面平整度;使用XRD测量InGaAs的晶格失配度,并保持在±5×10‑5;使用电化学C‑V测量In0.53Ga0.47As的背景载流子浓度;步骤三,采用MOCVD技术在InP衬底上生长0.6μm的InP缓冲层,再生长2.6μm的本征In0.53Ga0.47As吸收层,在本征吸收层上生长1μm的弱n型InP覆盖层,最后生长0.23μm的In0.77Ga0.23As0.5P0.5帽层;步骤四,帽层表面涂抹硒化锑薄膜,硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜;步骤五,采用等离子化学气相沉积技术在顶层沉积一层Si3N4膜作为Zn扩散掩蔽层,用光刻技术刻蚀出一个直径为80μm的圆形窗口;采用MOCVD扩散工艺将Zn扩散进InP覆盖层,形成p型感光区;接着用Au/Zn/Au制作p面欧姆接触,减薄衬底至205μm,再用Au/Ge/Ni/Au制作n面欧姆接触;步骤六,在光敏区上淀积2.2μm的ZnO薄膜作为增透膜。
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