[发明专利]一种MMLC的混沌电路有效

专利信息
申请号: 201710478877.5 申请日: 2017-06-22
公开(公告)号: CN107124262B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 王延峰;孙军伟;王春秀;黄春;张勋才;王英聪;王妍;方洁 申请(专利权)人: 郑州轻工业学院
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00;G06F17/50
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司41125 代理人: 郑园,栗改
地址: 450002 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提出了一种MMLC的混沌电路,用以解决以往混沌电路构建简单、非线性器件数量不足,电路混沌行为的吸引子路径单一,混沌信号易破解性和抗干扰性差的问题,包括串联连接的电容、电感及二次型忆阻和三次型忆阻。本发明通过采用串联的二次型忆阻和三次型忆阻,与电容、电感串联的电路系统,然后给定相应的系统初始值,使电路产生了丰富的混沌行为,系统的混沌行为与四个系统参数以及三个初始值都存在联系,增加了系统的破译性和抗干扰性;通过调节不同的系统参数,可以使系统产生高维混沌系统的吸引子;具有更加难以识别的拓扑结构,使得其比低维的混沌系统更加难以破译,对多忆阻混沌系统及忆阻组合电路有一定的促进作用。
搜索关键词: 一种 mmlc 混沌 电路
【主权项】:
一种MMLC的混沌电路,其特征在于,包括电容C、电感L、二次型忆阻M1和三次型忆阻M2,电容C、电感L、二次型忆阻M1和三次型忆阻M2依次串联连接;混沌电路的动力学方程为:ducdt=iLC---(1);]]>diLdt=-uC+[β(1-z2-215z3)]iLL]]>dzdt=-iL-αz+iLz]]>其中,uc为电容C的电压,iL为电感电流,z表示二次型忆阻M1和三次型忆阻M2的磁通内部变量,分别表示二次型忆阻M1和三次型忆阻M2的阻值,α是磁通变量的系数,β是忆阻器的内部参数,t表示时间。
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