[发明专利]基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，它涉及光电探测器技术领域；它的制备方法为步骤一在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起来；步骤三用等离子刻蚀工艺将部分透明绝缘层刻蚀掉，重新暴露出部分二硫化锡纳米片；步骤四蒸镀一层透明金属电极，完成器件；本发明的制备工艺实施简单，避免了繁琐而复杂的光刻技术的使用；相比传统的平行结构的光电探测器，独立式二硫化锡纳米片为基础的垂直电探测器避免了基底造成的散射与掺杂，增加了光吸收，从而提高了其光电探测性能。

主权项

基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，其特征在于：它的制备方法为：步骤一：在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二：旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起来；步骤三：用等离子刻蚀工艺将部分透明绝缘层刻蚀掉，重新暴露出部分二硫化锡纳米片；步骤四：蒸镀一层透明金属电极，完成器件。