[发明专利]一种低内应力高硬度的DLC/a‑CNx纳米多层膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710479207.5 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107354439A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨芳儿;常新新;郑晓华;林玲玲;龚润泽;王贵葱 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司33201 | 代理人： | 黄美娟,俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种低内应力高硬度的DLC/a‑CNx纳米多层膜的制备方法，所述方法按如下步骤进行(1)将单晶硅片基体放入氢氟酸溶液中进行清洗，再分别用丙酮和无水乙醇清洗，使其表面清洁，粗糙度不高于Ra 0.1；(2)将石墨靶和前处理后的单晶硅片基体装入多靶磁控溅射沉积室，调整靶基距为60～80mm，将沉积室内的气压抽至1.5×10‑3Pa以下，调整基体温度为100～250℃；(3)控制基体在石墨靶上方的周期性停留时间，在交替切换的沉积气氛中，于基体表面逐层交替沉积一定厚度的DLC膜和a‑CNx膜，实现最底层为DLC膜、最上层为a‑CNx膜的纳米多层结构，冷却后获得DLC/a‑CNx纳米多层膜。本发明实现了DLC膜和a‑CNx膜的良好结合、薄膜内应力的降低以及强烈的界面强化效应，获得具有优异性能的纳米多层膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内应力 硬度 dlc cnx 纳米 多层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种DLC/a‑CNx纳米多层膜的制备方法，所述方法按如下步骤进行：(1)基体预处理：将单晶硅片基体放入氢氟酸溶液中进行清洗，再分别用丙酮和无水乙醇清洗，使其表面清洁，粗糙度不高于Ra 0.1；(2)实验准备：将石墨靶和前处理后的单晶硅片基体装入多靶磁控溅射沉积室，调整靶基距为60～80mm，将沉积室内的气压抽至1.5×10‑3Pa以下，调整基体温度为100～250℃；(3)DLC/a‑CNx纳米多层膜的制备：控制基体在石墨靶上方的周期性停留时间，在交替切换的沉积气氛中，于基体表面逐层交替沉积一定厚度的DLC膜和a‑CNx膜，实现最底层为DLC膜、最上层为a‑CNx膜的纳米多层结构，其中每层DLC膜的厚度为3～15nm，每层CNx膜的厚度为0.5～2.0nm，交替沉积的周期个数为40～120个，冷却后获得DLC/a‑CNx纳米多层膜。
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