[发明专利]包括LDMOS晶体管的半导体器件及其制造方法和LDMOS晶体管有效
| 申请号： | 201710480244.8 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107546204B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赫尔穆特·布雷赫;阿尔贝特·比尔纳;米夏埃拉·布朗恩;扬·罗波尔;马西亚斯·齐格尔德鲁姆 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种包括LDMOS晶体管的半导体器件及其制造方法，以及LDMOS晶体管。在一个实施方式中，该半导体器件包括：具有前表面的半导体衬底；在前表面中的LDMOS晶体管；以及被布置在前表面上的金属化结构。金属化结构包括被布置在至少一个电介质层中的至少一个腔。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 ldmos 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，其包括前表面；在所述前表面中的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管；以及被布置在所述前表面上的金属化结构，其中，所述金属化结构包括被布置在至少一个电介质层中的至少一个腔。
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